日本创业公司Floadia(富提亚科技)居然宣称他们已经开发出了全新的每单元7个比特(7bpc)的闪存，按照规律需要多达128档电平，容量则相当于SLC的10倍。

　　Floadia当然没有延续NAND闪存的老路，而是开发了全新的非易失性SONOS单元，在硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)布局的基础上，使用分布式电荷捕获型结构，中间设置了一层氮化硅薄膜，可以牢牢捕获电荷，从而长久维持数据稳定性，并且电压编程擦写循环非常简单。

　　其中，氧化物-氮化物-氧化物(ONO)层使用了二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)材料，后者制造难度非常低。

　　官方号称，在极低的电压偏移下，这种闪存可以维持超过10万次编程擦写循环，即便是在150℃高温下，也能持续保存数据长达10年之久，而现在主流闪存能坚持100秒就不错了。

　　当然，也先别太激动，Floadia这种新闪存的目标市场(至少目前)主要是嵌入式市场，比如正在和东芝合作，利用40nm工艺进行制造，面向各种微控制器。

　　Floadia成立于2011年4月，创始人是来自日本瑞萨电子的7位工程师，都有近20年的从业经验，公司已经经历了三轮融资，其中C轮获得12亿日元(6700万元人民币)。如果是瑞萨的工程师做技术后盾，可以说这个闪存技术还是靠谱的。

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　　日本创业公司Floadia(富提亚科技)居然宣称他们已经开发出了全新的每单元7个比特(7bpc)的闪存，按照规律需要多达128档电平，容量则相当于SLC的10倍。Floadia当然没有延续NAND闪存的老路，而是开发了全新的非易失性SONOS单元，在硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)布局的基...

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